全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能產(chǎn)值逐漸恢復(fù)增長(zhǎng)，三大領(lǐng)軍企業(yè)的財(cái)報(bào)體現(xiàn)了這一點(diǎn)。

7月29日，三星電子公布了今年第二季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)，三星電子第二季度營(yíng)收63.67萬(wàn)億韓元 (約合3572.5億元)，創(chuàng)有史以來(lái)第二季度收入最高；其中，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)第二季度營(yíng)收為22.74萬(wàn)億韓元(約合1277.26億元）。三星表示，本次收入的大幅提升，主要是因?yàn)閮?nèi)存芯片（DRAM和NAND）的出貨量和價(jià)格增幅均超出預(yù)期。目前，三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片廠商，并因此在二季度趕超英特爾成為全球最大的芯片廠商。

7月27日，SK海力士發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)，其第二季度收入為10.322萬(wàn)億韓元(約合579.2億元)，凈利潤(rùn)為1.988萬(wàn)億韓元(約合111.5億元)，凈利潤(rùn)率為19%。SK海力士表示，從今年初開始，PC、圖像處理、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器需求大幅增加，服務(wù)器用存儲(chǔ)器需求也得到恢復(fù)，從而帶動(dòng)了業(yè)績(jī)的改善。這是繼2018年第三季度之后，時(shí)隔3年再次出現(xiàn)的佳績(jī)。并預(yù)期，今年下半年的需求也將持續(xù)增加，并隨著進(jìn)入旺季，存儲(chǔ)器市場(chǎng)的良好趨勢(shì)將持續(xù)下去。

7月1日，美光科技發(fā)布截至6月3日的第三財(cái)季報(bào)告，營(yíng)收74.22億美元(約合479.5億元)，毛利潤(rùn)為31.26億美元(約合202億元)，毛利率為42.1%。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)表示DRAM和NAND的價(jià)格上漲和客戶的需求推動(dòng)了收入增長(zhǎng)。DRAM 第三財(cái)季收入為54億美元，占總收入的73%。NAND 第三財(cái)季收入為18億美元，占總收入的24%，創(chuàng)下公司歷史新高，并預(yù)計(jì)，隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇， DRAM和NAND的供應(yīng)將在2022年繼續(xù)緊張。雖然新冠肺炎疫情仍然是一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)因素，但受宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇以及AI和5G等長(zhǎng)期驅(qū)動(dòng)因素的推動(dòng)，2021年正成為半導(dǎo)體企業(yè)強(qiáng)勁增長(zhǎng)的一年。由此看出存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在經(jīng)歷上一年的價(jià)格波動(dòng)之后，正在逐漸回暖，重回發(fā)展快車道。

2019年，受全球缺芯潮、新冠肺炎疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲(chǔ)芯片價(jià)格出現(xiàn)持續(xù)波動(dòng)，給各大存儲(chǔ)芯片廠商帶來(lái)了沖擊。據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）統(tǒng)計(jì)，2019年全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模為1064億美元，相比2018年減少了516億美元，而2020年回升到1175億美元，增長(zhǎng)了111億美元，出現(xiàn)穩(wěn)定上升勢(shì)頭。同時(shí)，WSTS預(yù)計(jì)2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)5272億美元，同比增長(zhǎng)19.7%；其中，存儲(chǔ)器產(chǎn)值同比增長(zhǎng) 31.7%，增幅將居首位；2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步達(dá) 5734億美元，同比增長(zhǎng)8.8%；其中，存儲(chǔ)器產(chǎn)值將成長(zhǎng)17.4%，增幅仍將高居第一。這說(shuō)明，存儲(chǔ)芯片成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的主要推動(dòng)力，并始終保持超高成長(zhǎng)性。

對(duì)于存儲(chǔ)芯片的價(jià)格波動(dòng)問(wèn)題，賽迪顧問(wèn)集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心研究員楊俊剛表示，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品價(jià)格具有周期性，存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)品價(jià)格主要和市場(chǎng)需求、產(chǎn)品存量、產(chǎn)品更新迭代有一定的關(guān)系。近期，全球芯片整體處于缺貨狀態(tài)，雖然存儲(chǔ)芯片屬于通用型產(chǎn)品，但是也受到了全球芯片缺貨的影響，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格有一定的波動(dòng)。

創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理步日欣向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出，存儲(chǔ)芯片價(jià)格向來(lái)是半導(dǎo)體領(lǐng)域價(jià)格波動(dòng)較為明顯的品類，主要原因就是整個(gè)市場(chǎng)格局處在壟斷狀態(tài)，幾大巨頭很容易就價(jià)格上漲達(dá)成默契。

我國(guó)是存儲(chǔ)芯片需求量最高的國(guó)家，據(jù)賽迪顧問(wèn)的數(shù)據(jù)，2020年中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約為4266億元，按WSTS 預(yù)計(jì)的2020年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)?；鶖?shù)(約合7593.9億元)估算，中國(guó)市場(chǎng)約占全球整體規(guī)模的56%。預(yù)計(jì)未來(lái)中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求還將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

楊俊剛指出，我國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域也已取得了不俗的成績(jī)，合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首款19nm DDR4內(nèi)存芯片；長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成了64層3D NAND Flash的量產(chǎn)，并且完成了128層3D NAND Flash產(chǎn)品的研發(fā)，已經(jīng)通過(guò)客戶驗(yàn)證階段；兆易創(chuàng)新Nor Flash的市場(chǎng)份額已經(jīng)進(jìn)入全球前三；聚辰半導(dǎo)體的EEPROM的市場(chǎng)份額也已經(jīng)進(jìn)入全球前三。

聯(lián)蕓科技執(zhí)行副總裁李國(guó)陽(yáng)向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示：“目前在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，我國(guó)實(shí)現(xiàn)了DDR3/4 DRAM及64/128層3D NAND閃存顆粒技術(shù)突破，并初步實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)和產(chǎn)能釋放，這是我國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域零的突破和標(biāo)志性成就?；诋?dāng)前的技術(shù)突破和產(chǎn)能持續(xù)釋放，以及良品率和可靠性的不斷提升，相信再經(jīng)過(guò)5年的發(fā)展，我國(guó)將有可能真正成為全球存儲(chǔ)芯片重要的參與者和貢獻(xiàn)者。”

不過(guò)，目前我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與國(guó)外存儲(chǔ)廠商仍存在較大差距。楊俊剛解釋道，我國(guó)屬于剛?cè)刖终?，在技術(shù)水平、研發(fā)能力、產(chǎn)品種類、產(chǎn)品迭代速度、資金實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)份額等方面和全球先進(jìn)廠商有一定的差距。目前我國(guó)在中低端存儲(chǔ)芯片的技術(shù)水平已經(jīng)慢慢后來(lái)居上。

而步日欣向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出，對(duì)于存儲(chǔ)芯片，我們的挑戰(zhàn)不僅存在于資本投入、技術(shù)攻關(guān)，還存在于市場(chǎng)生態(tài)的建立，下一步要打通整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈條的環(huán)節(jié)，讓國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片找到用武之地，逐步利用本土優(yōu)勢(shì)，循序漸進(jìn)地?fù)屨际袌?chǎng)?！按鎯?chǔ)芯片行業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘較高，具有高技術(shù)門檻的特性，而且一般采用IDM模式，需要大額的資本投入，才有可能實(shí)現(xiàn)突破?；谶@一行業(yè)特性，要有效推動(dòng)存儲(chǔ)芯片發(fā)展，在依靠市場(chǎng)化手段的同時(shí)，更需要政策引導(dǎo)，統(tǒng)籌推動(dòng)國(guó)產(chǎn)芯片的應(yīng)用場(chǎng)景落地、技術(shù)更新和迭代?！?nbsp;