7月14日，中國臺灣經(jīng)濟日報就美方此舉發(fā)表評論稱，這或意味著中國的存儲產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入了美國制裁范圍，美方有意從存儲領(lǐng)域最上游的控制IC、到存儲芯片全面封鎖，務(wù)求不讓大陸掌握存儲產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)。

據(jù)路透社相關(guān)文章報道，兩家中國存儲企業(yè)被盯上的原因類似：

華瀾微電子被列入美國出口管制實體清單原因是美國商務(wù)部認為“參與違反美國國家安全與外交政策活動，正在采購或試圖采購源自美國商品，以用于未經(jīng)授權(quán)的軍事用途?！?/span>

而美國議員在致函商務(wù)部長雷蒙多中宣稱，“大陸NAND Flash龍頭長江存儲與軍方關(guān)系密切，危及美國國家安全。”

從兩家企業(yè)的主營業(yè)務(wù)來看，美方對中國大陸的存儲產(chǎn)業(yè)確實關(guān)注有加。

據(jù)杭州華瀾微電子官網(wǎng)介紹，該公司專業(yè)從事數(shù)據(jù)存儲和信息安全的核心技術(shù)研究，提供數(shù)據(jù)存儲和信息安全領(lǐng)域的集成電路芯片和技術(shù)方案，其芯片主要有移動存儲控制器芯片、固態(tài)硬盤控制器芯片、Bridge控制器芯片和硬盤陣列控制器芯片四大系列，是中國大陸唯一全系列擁有數(shù)碼存儲控制器芯片的高科技公司。

 圖源：華瀾微電子官網(wǎng)

而長江存儲官網(wǎng)顯示，該公司成立于2016年7月，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時也提供完整的存儲器解決方案。

據(jù)了解，存儲芯片是電子產(chǎn)品不可或缺的零部件，NAND Flash芯片主要負責(zé)數(shù)據(jù)儲存，涉及資料寫入、抹除等程序。當(dāng)下海量的數(shù)據(jù)資料大都存儲于云端，NAND Flash芯片作為存儲載體地位特殊，尤其是當(dāng)這類芯片用于國防領(lǐng)域的時候，更是攸關(guān)國家安全，因此引起美方注意。

以“涉軍”為由拉黑中國企業(yè)是美方慣用伎倆，但有業(yè)內(nèi)人士表示，美國有意“拉黑”中方存儲企業(yè)的意圖還在于快速消除中國存儲企業(yè)崛起威脅美企相關(guān)市場的可能。

以被美國議員建議列入實體清單的長江存儲為例，長江存儲主攻的是NAND Flash 市場，據(jù)IDC調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2019年Flash MEMORY 市場規(guī)模整體約 460 億~480 億美元，占總體存儲市場規(guī)模約 26%，位列數(shù)字存儲市場規(guī)模第三。其中NAND Flash 市場規(guī)模約為 440 億美元，且近年來呈上升趨勢。

而在該領(lǐng)域中，向來是以美日韓企業(yè)為領(lǐng)頭羊。據(jù)Statista數(shù)據(jù)顯示，2019 年NAND Flash市形成三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、鎂光、SK 海力士、Intel 主導(dǎo)的 NAND Flash 市場格局，分占市場份額的 33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和 9.5%，CR6 高達 99.4%，市占前六的美日韓企業(yè)們幾乎壟斷了整個NAND Flash市場，其中美企占據(jù)38.3%。在高度壟斷的NAND Flash市場中，廠家的議價權(quán)也較為強勢。

圖：2019 年 NAND Flash市場競爭格局來源：國信證券經(jīng)濟研究所

但近年來中國企業(yè)在 NAND Flash領(lǐng)域進展較快。3D NAND是當(dāng)前NAND Flash技術(shù)主流方向，全球能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)3D NAND的公司只有三星、美光、英特爾、海力士、長江存儲等十幾家廠商。截止2019年末，美光、海力士、三星、西部數(shù)據(jù)等國際大廠均已成功研發(fā)100+層的3D NAND。2020年4月，長江存儲也宣布直接跳過96層，成功研發(fā)128 層 TLC/QLC 兩款產(chǎn)品。

在產(chǎn)能上，長江存儲也在奮力直追，長江存儲國家存儲器項目于2016 年底開工，總投資240 億美元，分兩期建設(shè)3D NAND 閃存晶圓廠，目前進展順利。

值得注意的是，就當(dāng)前而言，中國存儲企業(yè)還不足以對全球存儲芯片供應(yīng)市場產(chǎn)生決定性的影響，美方究竟是否已經(jīng)對中國存儲技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生忌憚之心還要看其后續(xù)舉動來了解。