美光這一決定，意味著存儲芯片領域發(fā)生大變局。

3D Xpoint技術是美光與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術，比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性，旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。歷經超過10年的研發(fā)周期，于2016年正式推出。

2016年時，使用20nm工藝制程的3D Xpoint存儲芯片在猶他州Lehi工廠生產，這一工廠也是英特爾與美光于2006年開始合作后建設的第一個工廠。

根據(jù)3D Xpoint誕生時的官方介紹，3D Xpoint的延遲水平以納秒計算，遠超NAND閃存的微秒級延遲， 速度提升高到1000倍，存儲密度比DRAM提高10倍。使得在靠近處理器的位置存儲更多的數(shù)據(jù)成為可能。

但這一曾經轟動業(yè)界的存儲技術，后期發(fā)展似乎并不順利。

在兩家的合作中，英特爾主要負責基于3D Xpoint技術Optane品牌產品的所有商業(yè)銷售，具體產品包括NVMe SSD和IMM尺寸的永久性內存模塊。美光則用QuanX品牌包裝3D Xpoint技術，但從未以該品牌發(fā)售過任何產品，其第一個也是唯一一個基于3D Xpoint的實際產品是X100高端企業(yè)級SSD。

美光公司首席商務管蘇米特·薩達納在接受路透社采訪時表示，很多客戶對X100并不滿意，因為他們必須重寫大部分軟件才能利用新型內存，因此該款產品發(fā)售數(shù)量非常有限。

2018年，英特爾與美光達成協(xié)議，計劃在3D NAND 閃存領域分道揚鑣，然后在完成第二代3D Xpoint的開發(fā)后結束在3D Xpoint上的合作，各自開發(fā)基于3D Xpoint技術的第三代產品。

2019年，美光購買了英特爾在Lehi工廠的股份，并成為該晶圓廠的唯一所有者，由于英特爾無法將其產線快速轉移到中國大連的Fab工廠，因此不得不與美光簽署晶圓代工協(xié)議在Lehi工廠生產，但英特爾的Optane產品并不足以充分利用該工廠的產能，美光每年的非GAAP運營利潤要因此遭受超過4億美元的損失。

如今，美光認識到，將3D Xpoint存儲器進一步商業(yè)化是不值得，因此決定出售其3D Xpoint晶圓廠，計劃在2021年內達成銷售協(xié)議。美光官方稱，美光現(xiàn)在已確定沒有足夠的市場證明將3D Xpoint大規(guī)模商業(yè)化以解決其客戶不斷發(fā)展的內存和存儲需求所需的大量投資是合理的，另外，美光將保留與3D Xpoint相關的所有知識產權，并于該工廠的多個潛在買家保持聯(lián)系。

去年，英特爾宣布將其3D NAND閃存部門出售給SK海力士，并保留其基于3D Xpoint的存儲產品。今年年初又推出新的Optane產品，英特爾作為目前唯一能夠研發(fā)且專注基于3D Xpoint產品的公司，很可能會接手該晶圓廠。

值得注意的是，美光出售其Lehi晶圓代工廠正值芯片缺貨嚴重的時期，因此即使需要買家花費大量精力進行改組，該晶圓廠也可能會快速售出。